Recently, all-inorganic double perovskite, lead-free absorber-based perovskite solar cells (PSCs) have been an active area of research. Due to its narrow bandgap and wide and high absorption, Cs2PtI6-based PSCs have generated wide interest. In this work, a comprehensive study of a Cs2PtI6-based PSC using solar cell capacitance simulator (SCAPS) one-dimensional is conducted. The simulation result is validated by comparing it with experimentally reported Cs2PtI6-based PSCs. To design a highly efficient, commercially feasible PSC, the variation in the performance of the PSC with six different electron transport layers (ETLs), ten-hole transport layers (HTLs), and nine metal contacts is investigated by simulation. Among the tried configurations, FTO / ZnO / Cs2PtI6 / MoO3 / Cu yielded the highest power conversion efficiency (PCE). The effect of varying the parameters of thickness, defect density, and doping concentration of the absorber layer; thickness, and doping concentration of the transport layers; and defect density of the interface layers on the performance of the device is investigated. The optimized device configuration yields an open-circuit voltage (Voc) of 1.3856 V, short-circuit current density (Jsc) of 16.107 mA / cm2, fill factor (FF) of 75.54%, and PCE of 16.85%. When the simulation is done with different back metal contacts, carbon yielded encouraging results with a Voc of 1.4105 V, Jsc of 16.112 mA / cm2, FF of 90.01%, and PCE of 20.45%.

中文翻译：

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具有多种传输材料和接触金属电极的 Cs2PtI6 基钙钛矿太阳能电池的器件建模：使用太阳能电池电容模拟器的综合模拟研究

最近，全无机双钙钛矿、无铅吸收剂基钙钛矿太阳能电池（PSC）一直是研究的活跃领域。由于其窄带隙和宽高吸收，基于 Cs2PtI6 的 PSC 引起了广泛的兴趣。在这项工作中，使用太阳能电池电容模拟器 (SCAPS) 一维对基于 Cs2PtI6 的 PSC 进行了全面研究。通过将模拟结果与实验报告的基于 Cs2PtI6 的 PSC 进行比较来验证模拟结果。为了设计高效、商业上可行的 PSC，通过模拟研究了具有六个不同电子传输层 (ETL)、十孔传输层 (HTL) 和九个金属触点的 PSC 性能的变化。在尝试的配置中，FTO / ZnO / Cs2PtI6 / MoO3 / Cu 产生了最高的功率转换效率 (PCE)。吸收层厚度、缺陷密度、掺杂浓度等参数变化的影响；传输层的厚度和掺杂浓度；研究了界面层的缺陷密度和缺陷密度对器件性能的影响。优化后的器件配置产生 1.3856 V 的开路电压 (Voc)、16.107 mA/cm2 的短路电流密度 (Jsc)、75.54% 的填充因子 (FF) 和 16.85% 的 PCE。当使用不同的背面金属触点进行模拟时，碳产生了令人鼓舞的结果，Voc 为 1.4105 V，Jsc 为 16.112 mA / cm2，FF 为 90.01%，PCE 为 20.45%。研究了界面层的缺陷密度和缺陷密度对器件性能的影响。优化后的器件配置产生 1.3856 V 的开路电压 (Voc)、16.107 mA/cm2 的短路电流密度 (Jsc)、75.54% 的填充因子 (FF) 和 16.85% 的 PCE。当使用不同的背面金属触点进行模拟时，碳产生了令人鼓舞的结果，Voc 为 1.4105 V，Jsc 为 16.112 mA / cm2，FF 为 90.01%，PCE 为 20.45%。研究了界面层的缺陷密度和缺陷密度对器件性能的影响。优化后的器件配置产生 1.3856 V 的开路电压 (Voc)、16.107 mA/cm2 的短路电流密度 (Jsc)、75.54% 的填充因子 (FF) 和 16.85% 的 PCE。当使用不同的背面金属触点进行模拟时，碳产生了令人鼓舞的结果，Voc 为 1.4105 V，Jsc 为 16.112 mA / cm2，FF 为 90.01%，PCE 为 20.45%。