An alternative method to fabricate T- and Γ-gates used for special geometry compound semiconductor high electron mobility transistors is presented. This method utilizes an acrylate/methylstyrene triple resist stack, a single ternary developer consisting of an acetate/alcohol/water mixture, and a proximity effect correction (PEC) image superposition approach that treats the exposed regions in the different resists as independent images and combines them afterward with weighted factors. In the past, most available options required multiple developers or ebeam exposures to form the resist structure of the gate. In this paper, we present a single developer capable of discriminating among three different resists to form the optimal structure for T- and Γ-gates. The PEC image superposition approach approximates that the exposed regions in each resist layer (or image) can be PEC corrected independently from the other images. The use of a gap between images allows for critical dimension control as image edges are not double exposed due to beam spread. Following gap formation and PEC, the corrected images are superimposed on each other after selectively removing areas of common exposure, using the highest dose as the determining dose. This allows a flexible means to accurately provide PEC to complex structures beyond “simple” T-gates and Γ-gates, as demonstrated in this paper.

中文翻译：

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使用三元显影剂和邻近效应校正叠加的 T 门和 Γ 门光刻的三层工艺

提出了另一种制造用于特殊几何化合物半导体高电子迁移率晶体管的 T 和 Γ 门的方法。该方法利用丙烯酸酯/甲基苯乙烯三重抗蚀剂叠层、由醋酸盐/酒精/水混合物组成的单一三元显影剂，以及将不同抗蚀剂中的曝光区域视为独立图像并结合的邻近效应校正 (PEC) 图像叠加方法他们之后用加权因素。过去，大多数可用选项需要多次显影剂或电子束曝光才能形成栅极的抗蚀剂结构。在本文中，我们提出了一个开发人员能够区分三种不同的抗蚀剂以形成 T 门和 Γ 门的最佳结构。PEC 图像叠加方法近似于每个抗蚀剂层（或图像）中的曝光区域可以独立于其他图像进行 PEC 校正。使用图像之间的间隙允许关键尺寸控制，因为图像边缘不会由于光束扩散而双重曝光。在间隙形成和 PEC 之后，经过校正的图像在选择性地去除共同曝光区域后相互叠加，使用最高剂量作为确定剂量。这提供了一种灵活的方法，可以准确地将 PEC 提供给“简单”T 门和 Γ 门之外的复杂结构，如本文所示。校正后的图像在选择性地去除共同曝光区域后相互叠加，使用最高剂量作为确定剂量。这提供了一种灵活的方法，可以准确地将 PEC 提供给“简单”T 门和 Γ 门之外的复杂结构，如本文所示。校正后的图像在选择性地去除共同曝光区域后相互叠加，使用最高剂量作为确定剂量。这提供了一种灵活的方法，可以准确地将 PEC 提供给“简单”T 门和 Γ 门之外的复杂结构，如本文所示。