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Modeling of 1S-1R crossbar array with Ti-doped VO2-based selector device
Ferroelectrics ( IF 0.8 ) Pub Date : 2024-02-13 , DOI: 10.1080/00150193.2023.2296310 U. Dilna 1 , S. N. Prasad 1, 2
Ferroelectrics ( IF 0.8 ) Pub Date : 2024-02-13 , DOI: 10.1080/00150193.2023.2296310 U. Dilna 1 , S. N. Prasad 1, 2
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This article proposes a Ti-doped Vanadium dioxide (VO2) selector device for reducing the leakage current. Here, TiO2 is formed by the Ti atoms in the VO2 film for acting like a good insulator. Henc...
中文翻译：
使用基于 Ti 掺杂 VO2 的选择器器件进行 1S-1R 交叉阵列建模
本文提出了一种掺钛二氧化钒（VO2）选择器器件来减少漏电流。这里，TiO2 由 VO2 薄膜中的 Ti 原子形成，起到良好的绝缘体的作用。赫克...
更新日期：2024-02-16
中文翻译：
使用基于 Ti 掺杂 VO2 的选择器器件进行 1S-1R 交叉阵列建模
本文提出了一种掺钛二氧化钒（VO2）选择器器件来减少漏电流。这里，TiO2 由 VO2 薄膜中的 Ti 原子形成，起到良好的绝缘体的作用。赫克...
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