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Tunable negative differential resistance behavior in the nitrogen-doped zigzag GeSe nanoribbon based single-gate field effect transistor
Ferroelectrics ( IF 0.8 ) Pub Date : 2024-02-20 , DOI: 10.1080/00150193.2023.2300613 Caixia Guo 1, 2 , Wenlong Jiao 1 , Tianxing Wang 3
Ferroelectrics ( IF 0.8 ) Pub Date : 2024-02-20 , DOI: 10.1080/00150193.2023.2300613 Caixia Guo 1, 2 , Wenlong Jiao 1 , Tianxing Wang 3
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This article presents a theoretical study on the negative differential resistance (NDR) behavior of a bilaterally hydrogen-passivated Zigzag GeSe nanoribbon based single-gate field-effect transisto...
中文翻译：
基于氮掺杂锯齿形 GeSe 纳米带的单栅极场效应晶体管的可调负微分电阻行为
本文对基于双边氢钝化 Zigzag GeSe 纳米带的单栅极场效应晶体管的负微分电阻 (NDR) 行为进行了理论研究。
更新日期：2024-02-23
中文翻译：
基于氮掺杂锯齿形 GeSe 纳米带的单栅极场效应晶体管的可调负微分电阻行为
本文对基于双边氢钝化 Zigzag GeSe 纳米带的单栅极场效应晶体管的负微分电阻 (NDR) 行为进行了理论研究。
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