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A Compact 19.7-to 43.8-GHz Power Amplifier With 20.3-dBm $P_{\mathrm{sat}}$ and 35.5% PAE in 28-nm Bulk CMOS
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 5.4 ) Pub Date : 2024-02-19 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3364096 Weisen Zeng 1 , Li Gao 1 , Ning-Zheng Sun 1 , Hui-Yang Li 1 , Jin-Xu Xu 1 , Hongtao Xu 2 , Quan Xue 1 , Xiuyin Zhang 1
中文翻译：
采用 28 nm Bulk CMOS 封装、具有 20.3 dBm $P_{\mathrm{sat}}$ 和 35.5% PAE 的紧凑型 19.7 至 43.8 GHz 功率放大器
更新日期：2024-02-19
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 5.4 ) Pub Date : 2024-02-19 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3364096 Weisen Zeng 1 , Li Gao 1 , Ning-Zheng Sun 1 , Hui-Yang Li 1 , Jin-Xu Xu 1 , Hongtao Xu 2 , Quan Xue 1 , Xiuyin Zhang 1
Affiliation
中文翻译：
采用 28 nm Bulk CMOS 封装、具有 20.3 dBm $P_{\mathrm{sat}}$ 和 35.5% PAE 的紧凑型 19.7 至 43.8 GHz 功率放大器
京公网安备 11010802027423号