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Virtual-Body p-GaN Gate HEMT with Enhanced Ruggedness Against Hot-Electron-Induced Degradation
IEEE Electron Device Letters ( IF 4.9 ) Pub Date : 2024-03-14 , DOI: 10.1109/led.2024.3375942 Junjie Yang 1 , Maojun Wang 1 , Jingjing Yu 1 , Yanlin Wu 1 , Jiawei Cui 1 , Teng Li 1 , Han Yang 1 , Jinyan Wang 1 , Xiaosen Liu 1 , Xuelin Yang 1 , Bo Shen 1 , Jin Wei 1
中文翻译：
虚拟体 p-GaN 栅极 HEMT 具有增强的耐用性，可抵抗热电子引起的退化
更新日期：2024-03-14
IEEE Electron Device Letters ( IF 4.9 ) Pub Date : 2024-03-14 , DOI: 10.1109/led.2024.3375942 Junjie Yang 1 , Maojun Wang 1 , Jingjing Yu 1 , Yanlin Wu 1 , Jiawei Cui 1 , Teng Li 1 , Han Yang 1 , Jinyan Wang 1 , Xiaosen Liu 1 , Xuelin Yang 1 , Bo Shen 1 , Jin Wei 1
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中文翻译：
虚拟体 p-GaN 栅极 HEMT 具有增强的耐用性，可抵抗热电子引起的退化
京公网安备 11010802027423号