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Modeling Thermal Effects for 28-nm Node Fully Depleted SOI Devices Under Cryogenic Temperatures
IEEE Transactions on Electron Devices ( IF 3.1 ) Pub Date : 2024-04-08 , DOI: 10.1109/ted.2024.3384450 Ziyi Wang 1 , Michael Povolotskyi 2 , Dragica Vasileska 1
中文翻译：
对低温下 28 nm 节点完全耗尽 SOI 器件的热效应进行建模
更新日期：2024-04-08
IEEE Transactions on Electron Devices ( IF 3.1 ) Pub Date : 2024-04-08 , DOI: 10.1109/ted.2024.3384450 Ziyi Wang 1 , Michael Povolotskyi 2 , Dragica Vasileska 1
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中文翻译：
对低温下 28 nm 节点完全耗尽 SOI 器件的热效应进行建模
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