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High-Speed and Low-Power Ferroelectric HfO 2 /ZrO 2 Superlattice FinFET Memory Device Using AlON Interfacial Layer
IEEE Transactions on Electron Devices ( IF 3.1 ) Pub Date : 2024-04-15 , DOI: 10.1109/ted.2024.3385388 Chen-You Wei, Ming-Yueh Huang, Siao-Cheng Yan, Yung-Chun Wu
中文翻译:
使用 AlON 界面层的高速低功耗铁电 HfO 2 /ZrO 2 超晶格 FinFET 存储器件
更新日期:2024-04-15
IEEE Transactions on Electron Devices ( IF 3.1 ) Pub Date : 2024-04-15 , DOI: 10.1109/ted.2024.3385388 Chen-You Wei, Ming-Yueh Huang, Siao-Cheng Yan, Yung-Chun Wu
中文翻译:
使用 AlON 界面层的高速低功耗铁电 HfO 2 /ZrO 2 超晶格 FinFET 存储器件