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个人简介

2007年7月毕业于中国科学院半导体研究所,获工学博士学位。2007年9月至2011年9月在日本从事博士后研究。期间分别为福井大学(University of Fukui, 日本国福井县福井市)电气电子工学专攻博士研究员,东京大学相关基础科学系特任研究员。2011年10月加入中国科学院上海技术物理研究所

研究领域

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1,窄禁带半导体(InN、InAs、InSb等)的材料生长与物性研究; 2,高灵敏度红外太赫兹双量子阱探测器的研制及新探测机制的阐明; 3,半导体微结构的低温输运测量

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