个人简介

1995年获中科院上海微系统与信息技术研究所半导体物理与器件物理专业博士学位。1995年-2000年在中科院上海微系统与信息技术研究所从事分子束外延半导体光电材料与器件研究，期间多次到瑞典Ericsson 公司和德国Paul-Drude 固态电子研究所开展合作研究。2000-2001年在瑞士联邦工学院（EPFL）工作，2001-2007年在美国新泽西贝尔实验室（Bell Labs）工作，任半导体物理研究部研究员（Member of Technical Staff），2007年-2009年任普林斯顿大学NSF中红外材料技术中心研究员。现为中科院上海技术物理研究所研究员，博士生导师。在国际期刊发表论文60多篇，引用600多次。获国家科技进步三等奖一项以及中国科学院和上海市科技进步奖多项

研究领域

在半导体电子和光电子领域，如量子级联激光器、量子阱激光器、异质结晶体管、高电子迁移率晶体管等方面有长期的研究积累。目前主要从事InAs/GaSb II类超晶格红外探测器及新型红外光电器件研究，包括材料与器件结构设计、外延生长、器件制备及性能表征

主要从事低维半导体微纳结构材料、物理及相关光电器件研究，如新型超晶格红外焦平面探测器、中红外量子级联激光器、量子点激光器等，包括分子束外延生长机理和材料物理、光电器件芯片制备和器件物理以及相关低维半导体结构中量子物理过程研究等。

近期论文

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1. Studies on InAs/GaSb Superlattice Structural Properties by High Resolution X-ray Diffraction, Zhou Yi, Chen Jianxin, Xu Qingqing, and He Li, J. Vac. Sci. and Technol. B, 30(5), 051203, 2012. 2. Growth and fabrication of InAs/GaSb type-II superlattice mid-wavelength infrared photodetectors，J. Chen, Q.Xu, Y.Zhou, J.Jin, C.Lin and L.He, Nanoscale Research Letters; Vol.6,p.635, 2011. 3. A. Jang, R.W.Adams, J.X. Chen, W. O. Charles, C. Gmachl, L.W. Cheng, F.S. Choa, M.A. Belkin, Room temperature operation of 3.6μm InGaAs/InAlAs quantum cascade laser sources based on intracavity second harmonic generation, Appl. Phys. Lett., 97(14), 141103, 2010. 4. Chen J, Malis O, Sergent, A. M., Sivco, D. L.Weimann, N, Cho AY, In0.68Ga0.32As/Al0.64In0.36As/InP 4.5 μm quantum cascade lasers grown by solid phosphorus molecular beam epitaxy, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 25 (3): 913-915 MAY-JUN 2007. 5. J.X. Chen, A. Markus, A. Fiore, U. Oesterle, R. P. Stanley, J. F. Carlin, R. Houdre and M. Ilegems, Tuning InAs/GaAs quantum dot properties under Stranski-Krastanov growth mode for 1.3 μm application, J. Appl. Phys. Vol. 91 (10), P. 6710, 2002. 6. J.X. Chen, U. Oesterle, A. Fiore, R.P. Stanley, M. Ilegems and T. Todaro, Matrix effects on the structural and optical properties of InAs quantum dots, Appl. Phys. Lett. Vol 79(22), P.3681, 2001.