个人简介
辽宁省优秀硕士学位论文指导教师，沈阳工业大学科技先进工作者、学术带头人、翔源学者。获大连理工大学理学学士学位，获韩国庆北国立大学工学博士学位。国际上首次提出了“基于深肖特基势垒的高性能隧道场效应晶体管”、“双向隧道场效应晶体管”和“导电类型可调节式隧道场效应晶体管”的概念和工作原理，建立并完善了适用于亚10nm工艺的多栅场效应晶体管科学理论体系。主要学术成果形式包括：发表SCI检索期刊论文30余篇，SCI他引次数过百；著有《纳米级场效应晶体管建模与结构优化研究》一书；授权职务发明专利40余项。其中被评为辽宁省自然科学学术成果一等、沈阳市十大优秀自然科学学术成果的科研成果各一项、被评为沈阳市自然科学学术成果一等的学术成果两项。承担的主要科研项目包括：教育部项目1项、省科技厅项目4项、省教育厅项目4项。
已授权发明专利列表
专利名称 专利号 授权年份
具有U形管状沟道的无PN结晶体管及其制造方法 201310474844.5 2015
高迁移率低源漏电阻的三栅控制型无结晶体管 201310519069.0 2016
低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管及其制造方法 201410745889.6 2017
SOI衬底双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管及制造方法 201410747360.8 2017
高转移特性低寄生电容内嵌栅绝缘隧穿增强晶体管 201410742827.X 2017
体硅双栅绝缘隧穿基极双极晶体管及其制造方法 201410747247.X 2017
体硅双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法 201410746320.1 2017
SOI衬底双栅绝缘隧穿基极双极晶体管及其制造方法 201410749132.4 2017
高性能高集成度漏电极辅控L形栅型无结晶体管 201310594237.2 2017
高集成度H形源漏栅辅控U形沟道高迁移率无结晶体管 201310597980.3 2017
主辅栅分立控制U形沟道无掺杂场效应晶体管 201310590299.6 2017
高集成度日形源漏栅辅控U形沟道高迁移率无结晶体管 201310594264.X 2017
近源栅近漏栅分立控制型无掺杂场效应晶体管 201310519246.5 2017
折叠栅控L形沟道低泄漏电流隧穿晶体管 201310590770.1 2017
内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法 201410742995.9 2017
防击穿SOI折叠栅绝缘隧穿双极晶体管及其制造方法 201420747246.5 2017
SOI衬底折叠栅绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法 201410742784.5 2017
非单一衬底绝缘层厚度的高性能SOI无结晶体管 201410742658.X 2018
凹槽内嵌栅绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法 201410742677.2 2018
具有击穿保护功能的栅绝缘隧穿凹槽基区双极晶体管 201410742969.6 2018
源漏阻变式导电类型可互换晶体管及其制造方法 201711046192.X 2019
双侧折叠栅控源漏双隧穿型双向导通晶体管及制造方法 201711048158.6 2019
源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管及制造方法 201711050820.1 2019
源漏阻变式矩形栅控U形沟道双向晶体管及其制造方法 201711050854.0 2019
一种源漏阻变式H形栅控双向开关晶体管及其制造方法 201711050839.6 2019
导电类型可调源漏阻变式双侧折叠栅晶体管及其制造方法 201711048155.2 2019
分立双矩形栅控U形沟道源漏双隧穿晶体管及其制造方法 201711046246.2 2019
一种矩形栅控U形沟道双向开关隧穿晶体管及其制造方法 201711046022.1 2019
双导电类型分立双矩形栅控源漏阻变晶体管及其制造方法 201711046294.1 2019
H形栅控源漏阻变式导电类型可调型晶体管及其制造方法 201711050861.0 2019
H形栅控源漏对称可互换型隧穿晶体管及其制造方法 201711048116.2 2019
一种势垒调控式H形栅控双向隧穿晶体管及其制造方法 201711050865.9 2020
双选导电类型双括号栅控源漏阻变式晶体管及其制造方法 201711048210.8 2020
双括号形栅控双向开关隧穿晶体管及其制造方法 201711046024.0 2020
研究领域
集成芯片、神经形态类脑芯片与智能传感、先进固态电子材料与器件
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