刘军林 - 南昌大学 - 材料科学与工程学院

个人简介

2006年5月毕业于西安交通大学，获材料科学与工程博士学位；现为南昌大学研究员(二级)、博士生导师。

研究领域

氮化物发光材料与器件、MOCVD高端装备与工艺

近期论文

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1、Liu, Junlin(*)，Zhang, Jianli，Mao, Qinghua，Wu, Xiaoming，Jiang, Fengyi，Effects of AlN interlayer on growth of GaN-based LED on patterned silicon substrate，CRYSTENGCOMM，2013.01.01，15（17）：3372~3376 SCI 2、Wu, Xiaoming，Liu, Junlin(*)，Quan, Zhijue，Xiong, Chuanbing，Zheng, Changda，Zhang, Jianli，Mao, Qinghua，Jiang, Fengyi，Electroluminescence from the sidewall quantum wells in the V-shaped pits of InGaN light emitting diodes，Applied Physics Letters，2014.6.2，104（22） SCI 3、Wu, Xiaoming，Liu, Junlin(*)，Jiang, Fengyi，Hole injection from the sidewall of V-shaped pits into c-plane multiple quantum wells in InGaN light emitting diodes，Journal of Applied Physics，2015.10.28，118（16） SCI 4、Zhang, Jianli，Xiong, Chuanbing，Liu, Junlin(*)，Quan, Zhijue，Wang, Li，Jiang, Fengyi，High brightness InGaN-based yellow light-emitting diodes with strain modulation layers grown on Si substrate，Applied Physics A-Materials Science & Processing，2014.3.01，114（4）：1049~1053 SCI 5、Xiaohui Liu，Junlin Liu(*)，Qinghua Mao，Xiaoming Wu，Jianli Zhang，Guangxu Wang，Zhijue Quan，Chunlan Mo，Fengyi Jiang，Effectsof p-AlGaN EBL thickness on the performance of InGaN green LEDs with largeV-pits，Semiconductor Science and Technology，2015.12.21，31（2）：025012-1~025012-6 SCI 6、Liu, Junlin(*)，Feng, Feifei，Zhang, Jianli，Jiang, Le，Jiang, Fengyi，Thermal stability of N-polar n-type Ohmic contact for GaN-based light emitting diode on Si substrate，Thin Solid Films，2012.1.1，520（6）：2155~2157 SCI 7、Wu, Xiaoming，Liu, Junlin(*)，Xiong, Chuanbing，Zhang, Jianli，Quan, Zhijue，Mao, Qinghua，Jiang, Fengyi，The effect of silicon doping in the barrier on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes，Journal of Applied Physics，2013.9.14，114（10） SCI 8、Zhang Jian-Li，Liu Jun-Lin(*)，Pu Yong，Fang Wen-Qing，Zhang Meng，Jiang Feng-Yi，Effects of Carrier Gas on Carbon Incorporation in GaN，Chinese Physics Letters，2014.3.01，31（3） SCI 9、Liu Jun-Lin(#)，Zhang Jian-Li(*)，Wang Guang-Xu，Mo Chun-Lan，Xu Long-Quan，Ding Jie，Quan Zhi-Jue，Wang Xiao-Lan，Pan Shuan，Zheng Chang-Da，Wu Xiao-Ming，Fang Wen-Qing，Jiang Feng-Yi，Status of GaN-based green light-emitting diodes，Chinese Physics B，2015.6.01，24（6） SCI 10、Mao, Qinghua，Liu, Junlin(*)，Quan, Zhijue，Wu, Xiaoming，Zhang, Meng，Jiang, Fengyi，Enhanced Performance of GaInN LEDs by Abrupt Mg Doped p-AlGaN Electron Blocking Layer，ECS Journal of Solid State Science and Technology，2015.01.01，4（3）：R44~R47 SCI 11、Mao, Qinghua，Liu, Junlin(*)，Wu, Xiaoming，Zhang, Jianli，Xiong, Chuanbing，Mo, Chunlan，Zhang, Meng，Jiang, Fengyi，Influence of growth rate on the carbon contamination and luminescence of GaN grown on silicon，Chinese Journal of Semiconductors，2015.9.1，36（9）：093003-1~093003-4 SCI 12、毛清华，刘军林(*)，全知觉，吴小明，张萌，江风益，p型层结构与掺杂对GaInN发光二极管正向电压温度特性的影响/Influences of p-type layer structure and doping profile on the temperature dependence of the forward voltage characteristic of GaInN light-emitting diode，Acta Physica Sinica，2015.3.01，（10）：274~279 SCI 13、江风益，刘军林(*)，王立，熊传兵，方文卿，莫春兰，汤英文，王光绪，徐龙权，丁杰，王小兰，全知觉，张建立，张萌，潘拴，郑畅达，硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管/High optical efficiency GaN based blue LED on silicon substrate，中国科学:物理学力学天文学，2015.6.20，（06）：19~36 SCI 14、刘军林(*)，熊传兵，程海英，张建立，毛清华，吴小明，全知觉，王小兰，王光绪，莫春兰，江风益，AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响/Effects of AlN Interlayer on Growth of GaN films on Silicon substrate，光学学报，2014.2.10，（02）：319~324 EI 15、高江东，刘军林(*)，徐龙权，王光绪，丁杰，陶喜霞，张建立，潘拴，吴小明，莫春兰，王小兰，全知觉，郑畅达，方芳，江风益，垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响/ Dependence of Electroluminescence on Barriers Temperature in GaN Base Blue LED on Silicon Substrate，发光学报，2016.2.15，（02）：202~207 EI