赵传阵 - 天津工业大学 - 电子与信息工程学院

个人简介

学习经历： 2000/09-2004/06，山东理工大学，电气与电子工程学院，学士 2004/09-2007/06，华南师范大学，物理与电信工程学院，硕士 2007/09-2010/06，南京大学，电子科学与工程学院，博士工作经历： 2010/06-2013/09，天津工业大学，电子与信息工程学院，讲师 2013/09-至今天津工业大学，电子与信息工程学院，副教授讲授主要课程：半导体物理学、半导体器件基础、集成电路工艺原理等代表性科研项目：主持国家自然科学基金“InGaNP薄膜带隙演化及其退火特性的物理机制研究”，参与国家自然科学基金“III族氮化物半导体微腔结构中激子极化激元和受激辐射研究”，（国家级）参与国家自然科学基金“宽禁带半导体极化诱导能带调控原理及器件应用”（国家级）参与天津市应用基础及前沿技术研究计划“电辅助光催化中空纤维膜构筑及性能研究”（省部级）主持横向项目“复合材料气瓶超声探伤工装研制”航天材料与工艺研究所获奖情况： 2015年，被评为天津工业大学优秀思想教育工作者。 2015年，指导学生参加第十三届挑战杯天津市大学生课外学术科技作品竞赛，获天津赛区二等奖。 2015年，指导学生参加天津工业大学第十一届课外学术科技作品竞赛，获二等奖，个人被评为优秀指导教师。 2014年，参加全国课件大赛，获高教工科组优秀奖。 2013年，指导学生参加第十二届挑战杯天津市大学生课外学术科技作品竞赛，获天津赛区二等奖。 2013年，参加全国课件大赛，获高教工科组优秀奖。 2013年，指导学生参加天津工业大学第十届课外学术科技作品竞赛，获二等奖，个人被评为优秀指导教师。 2012年，参加全国课件大赛，获高教工科组优秀奖。

研究领域

研究方向一：半导体材料研究方向二：微电子器件及其电路研究方向三：光电子器件

近期论文

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现已发表及合作发表SCI收录论文50多篇、EI论文收录12篇、核心期刊1篇。发表刊物包括国际上较有影响力的期刊AppliedPhysicsLetters、JournalofAppliedPhysics、JournalofAlloysandCompounds、AppliedPhysicsA、SuperlatticesandMicrostructures、JournalofElectronicMaterials、PhysicaB、PhysicalLetterA、OpticsCommunications、MaterialsResearchBulletin、SolidStateCommunications、ChinesePhysicsLetters、ScienceChina等) [1]Chuan-ZhenZhao*,Na-NaLi,TongWei,Chun-XiaoTang,Ke-QingLu,AmodelforthebandgapenergyoftheN-richGaNAs(0≤x≤0.07),AppliedPhysicsLetters,100(14),142112,2012(SCI收录) [2]Chuan-ZhenZhao*,TongWei,Na-NaLi,Sha-ShaWang,Ke-QingLu,ApressuredependencemodelforthebandgapenergyofthedilutenitrideGaNP,JournalofAppliedPhysics,2014,116:063512(SCI收录) [3]Chuan-ZhenZhao*,TongWei,Xiao-DongSun,Sha-ShaWang,Ke-QingLu,PressuredependenceofthebandgapenergyatΓandXforthedilutenitrideGaNPalloy,JournalofAlloysandCompounds,2014,608:66-68(SCI收录) [4]Chuan-ZhenZhao*,TongWei,Xiao-DongSun,Sha-ShaWang,Ke-QingLu,ThefactorscontributingtothebandgapbowingofthedilutenitrideGaNPalloy,AppliedPhysicsA,2014,117(3):1447-1450(SCI收录) [5]Chuan-ZhenZhao*,Na-NaLi,TongWei,Sha-ShaWang,Ke-QingLu,BandgapevolutionofGaN1−xAsxinthewholecompositionrange,AppliedPhysicsA,2014,115(3):927-930(SCI收录) [6]Chuan-ZhenZhao*,SiSang,TongWei,Sha-ShaWang,Ke-QingLu,ThetemperaturedependenceofthebandgapenergyofthediluteoxygenZnOxSe1−x,AppliedPhysicsA,2017,123:134(SCI收录) [7]Chuan-ZhenZhao*,TongWei,Na-NaLi,Sha-ShaWang,Ke-QingLu,TheoriginfortheformationofAl-NclustersintheGa-richdilutenitrideAlxGa1-xNyX1-y(X=As,orP)alloys,SuperlatticesandMicrostructures,2014,75:409-415(SCI收录) [8]Chuan-ZhenZhao*,TongWei,Li-YingChen,Sha-ShaWang,JunWang,TheactivationenergyforMgacceptorintheGa-richInGaNalloys,SuperlatticesandMicrostructures,2017,102:40-44.(SCI收录) [9]Chuan-ZhenZhao*,TongWei,Xiao-DongSun,Sha-ShaWang,Ke-QingLu,TheblueshiftofthebandgapenergycausedbyIn–NclustersinInxGa1-xNyAs1-yalloysdependingontheNcontent,SuperlatticesandMicrostructures,2015,85:156-160.(SCI收录) [10]Chuan-ZhenZhao*,QiangFu,TongWei,Sha-ShaWang,Ke-QingLu,AmodeldescribingthebandgapenergyofInxGa1-xNySbzAs1-y-z(0